Editorial | Electrónica espacial gracias a la tecnología silicio-germanio

El método tradicional para proteger la electrónica espacial de la radiación y las temperaturas extremas, desarrollado en la década de 1960, se basa en voluminosas cajas metálicas. En el mejor de los casos, funcionan en un rango de temperaturas que va desde los -55 hasta los 125 ºC.

Un proyecto financiado por la NASA y el Tecnológico de Georgia, formado por un equipo de once académicos de las universidades de Arkansas, Auburn, Maryland, Tennesse y Vanderbilt con un costo de doce millones de dólares, y una duración de sesenta y tres meses, consistió en desarrollar para la NASA una infraestructura probada, incluyendo todo lo necesario para el diseño y la construcción de dispositivos capaces de funcionar en los ambientes extremos de las misiones espaciales.

El resultado fue la utilización de la tecnología del silicio-germanio (SiGe), la cual permite producir dispositivos electrónicos muy resistentes tanto a amplias variaciones de temperatura como a la radiación espacial. Comparada con los enfoques convencionales, la electrónica SiGe puede proporcionar importantes reducciones en peso, tamaño, complejidad, consumo de energía y costo, así como incrementar la fiabilidad y la adaptabilidad.

Las aleaciones silicio-germanio (SiGe) combinan a escala nanométrica el silicio, el material más común de los microchips, con el germanio. El resultado es un material recio que ofrece ventajas importantes en cuanto a la resistencia, la velocidad y la flexibilidad.

Esta robustez es crucual para la capacidad del silicio-germanio de funcionar en el espacio sin voluminosos escudos contra la radiación, o dispositivos de control de temperaturas, que suelen consumir muchísima energía.

La electrónica enviada más allá de la órbita terrestre se expone a temperaturas extremas y radiaciones muy perjudiciales. Los ciclos de temperatura en la superficie de la Luna varían entre los 120 y -180 ºC, siendo también muy resistente o incluso inmune a varios tipos de radiación.